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这一趋势在企业业绩中得到印证:2025 年前三季度,中微公司营收 80.63 亿元,同比增长 46.40%,其中刻蚀设备收入 61.01 亿元,同比增长 38.26%,其 CCP 设备凭借 100:1 深宽比突破,已打入长江存储 232 层 NAND 产线%)。更值得关注的是薄膜沉积设备的爆发 —— 中微公司 LPCVD、ALD 等薄膜设备收入 4.03 亿元,同比激增 1332.69%,标志着国产设备从 “刻蚀单点突破” 向 “刻蚀 + 薄膜” 双轮驱动迈进。
2023 年中国大陆半导体设备投资达 366 亿美元,占全球 34%(SEMI),但 ASML 的市场表态呈现鲜明矛盾:其 2023 年中国区营收占比 47%,却预测 2025 年将回落至 15%-20%。这种预期差的背后,是 Q3 进口数据揭示的结构性变化 ——2025 年 Q3 前道设备进口总额 101.87 亿美元(同比 + 15.28%),但不同设备表现分化:
:“其他光刻设备” 进口量下降,但荷兰产高端光刻设备单价飙升至历史最高,反映中低端依赖度降低、高端仍需引进。上海微电子 28nm DUV 虽通过中芯国际验证(国产化率 30%),但 7nm 以下 EUV 仍被 ASML 垄断。
:干法刻蚀设备进口量价双增(同比增速显著),对应国内先进制程扩产需求;而其他刻蚀设备进口量价齐降,印证国产设备在成熟制程的替代成效 —— 长江存储采购清单中国产刻蚀占比从 2021 年 12% 升至 2023 年 38%,中微、北方华创设备已覆盖 28nm 及以上绝大部分应用。
:CVD 设备进口量价齐升(数量创历史新高),显示高端沉积设备仍依赖进口;但国产厂商已实现突破:拓荆科技 PECVD 设备在 OLED 产线%,其 ALD 设备已批量出货 SiCO、SiN 工艺;中微公司 LPCVD/ALD 设备性能达国际领先水平,2025 年 Q3 收入暴增 13 倍。
ASML 的博弈逻辑清晰可见:其 2023 年中国区营收中 60% 来自 28nm 以上设备,而国产设备在成熟制程具备 40% 价格优势,未来份额下滑已成必然;但在高端领域,ASML 仍通过 EUV 封锁遏制突破,形成 “成熟制程失守、高端领域控盘” 的格局。
3D 集成技术正打开新空间:TSV 硅通孔技术带动 HBM 内存刻蚀需求激增,ASML 已推出先进封装光刻机 TWINSCAN XT:260(效率提升 4 倍)。全球刻蚀设备市场规模 2025 年将达 220 亿美元(Gartner),中国厂商有望拿下 25% 份额。当前竞争焦点集中在技术路线:中微公司主攻 CCP 设备(高深宽比刻蚀),北方华创强化 ICP 设备(逻辑 / 存储全覆盖),屹唐半导体则在干法去胶设备领域拿下全球 34.6% 份额(2023 年,Gartner)。
全球薄膜沉积设备被 AMAT(PVD 市占率 85%)、TEL(CVD/ALD 领先)垄断,但国产厂商已实现多点突破:
尽管设备本体进展显著,关键零部件仍存瓶颈:日本 NSK/Fujikin 垄断高精度传动部件与特种气体控制组件,欧洲 Pfeiffer/Leybold 占据 50% 以上真空系统市场。不过,大基金三期(3440 亿元)已明确将上游零部件列为核心投资方向,政策 + 市场双轮驱动下,零部件国产化有望加速。
SEMI 预测 2025 年全球半导体设备投资将回落,但中国市场仍有结构性机会:2010-2024 年国内设备销售额复合增速 30.2%,2024 年底仍将维持 25%-30% 同比增长(中国电子展数据),28nm 设备国产化率有望突破 50%,清洗 / 热处理等环节已达 90%。
但风险同样不容忽视:武汉弘芯 2018 年因技术代差与资金断裂烂尾的教训仍在,部分国产设备商存在 “研发投入不及营收增速” 的隐忧 —— 中微公司研发占比超 20%(行业平均 15%),但仍有企业研发强度不足,技术迭代可持续性待考。此外,高端制程突破仍需时间:7nm 以下光刻机尚需 5-8 年,EUV 光刻胶等配套技术仍在攻关。
ASML 一边在中国扩建 17 个办事处、新增 10% 员工,一边预判市场份额回落,这种矛盾折射出赛道的新变化 —— 半导体制造正从 “依赖光刻机缩小线宽”,转向 “刻蚀 + 薄膜沉积构建复杂结构”。对中国厂商而言,中微公司刻蚀 + 薄膜收入的双爆发,拓荆科技、北方华创的多点突破,已构建起 “成熟制程全面替代、先进制程局部领先” 的突围路径。
正如沈波所言,AI 驱动的智能终端普及将开启半导体产业新增长。当 2030 年中国智能终端普及率超 90% 的目标落地时,那些能在刻蚀 / 薄膜设备持续突破、并攻克零部件瓶颈的企业,终将在这场千亿赛道的长跑中胜出。而当前,中微公司等企业的业绩爆发,正是国产设备从 “可用” 向 “好用” 进化的最佳注脚。